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BC337BU Especificaciones técnicas

TRANS NPN 45V 0.8A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 800mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
Base Part Number BC337
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
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Otros incluyen   "BC337"   partes

Las siguientes partes incluyen  'BC337' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BC337 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1396
BC337 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
BC337 TO92 KEC CIs Especializados 5475
BC337,112 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2642
BC337,116 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2594
BC337,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2761
BC337-016G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2786
BC337-016G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
BC337-025 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2558
BC337-025 ON Semiconductor BC337-025

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