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BC212B
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BC212B Especificaciones técnicas
TRANS PNP 50V 0.1A TO-92
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 350mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 2mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 280MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "BC212" partes
Las siguientes partes incluyen 'BC212'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BC212 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 50004 |
BC212 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 50004 |
BC212 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
BC212 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
BC212013BEN-E4 | CSR | CIs Calientes Especializados | 2783 |
BC212013BL | CSR | CIs Calientes Especializados | 5 |
BC212015BB | N/A | CIs Calientes Especializados | 31 |
BC212015BBN-E4M | CSR | CIs Calientes Especializados | 2753 |
BC212015BD | CSR | CIs Calientes Especializados | 1238 |
BC212015BDN-E4 | CSR | CIs Calientes Especializados | 21352 |
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Receptores
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