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BBS3002-DL-1E Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13200pF @ 20V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Otros incluyen   "BBS30"   partes

Las siguientes partes incluyen  'BBS30' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BBS3002-DL-1E ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
BBS3002-DL-E AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 8896
BBS3002-TL-1E AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5482
BBS3002-TL-1E ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
BBS3002-TL-1E-ENG AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 199

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