55GN01MA-TL-E Especificaciones técnicas

TRANS NPN BIPO 70MA 10V MCP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - RF
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V
Supplier Device Package 3-MCP
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 4.5GHz ~ 5.5GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 70mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 400mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.9dB @ 1GHz
Gain 10dB @ 1GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
55GN01C-TB-E Sanyo Semiconductor CIs Calientes Especializados 18383
55GN01CA ON CIs Calientes Especializados 3500
55GN01CA-TB-E AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 32800
55GN01CA-TB-E ON Semiconductor Transistores BJT RF
55GN01F Sanyo Semiconductor CIs Calientes Especializados 6000
55GN01F-TL-E Sanyo Semiconductor CIs Calientes Especializados 71900
55GN01FA-TL-H AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2780
55GN01FA-TL-H ON Semiconductor Transistores BJT RF
55GN01M-TL Sanyo Semiconductor CIs Calientes Especializados 30290
55GN01M-TL-E Sanyo Semiconductor CIs Calientes Especializados 22710

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