2SK4125-1EX Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 17A TO3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-3P-3L
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 170W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 610 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TA)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2SK4100 Original CIs Calientes Especializados 480
2SK4100 MOS Sanyo Semiconductor CIs Calientes Especializados 421
2SK4100LS Sanyo Semiconductor CIs Calientes Especializados 1455
2SK4100LS-T-MG5 Sanyo Semiconductor CIs Calientes Especializados 2640
2SK4101 Original CIs Calientes Especializados 715
2SK4101FS Sanyo Semiconductor CIs Calientes Especializados 22
2SK4101FS-V-H Sanyo Semiconductor CIs Calientes Especializados 2524
2SK4101LS Sanyo Semiconductor CIs Calientes Especializados 102
2SK4101LS-T Sanyo Semiconductor CIs Calientes Especializados 2755
2SK4103 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 5961

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