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2N6387G
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2N6387G Especificaciones técnicas
TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 2W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 5A, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "2N638" partes
Las siguientes partes incluyen '2N638'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N6383 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 20866 |
2N6383G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 20866 |
2N6384 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2708 |
2N6384 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2500 |
2N6384 | Microsemi Corporation | Transistores BJT individuales | |
2N6384 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistores BJT individuales | |
2N6384G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 20866 |
2N6385 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2420 |
2N6385G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 20866 |
2N6386 | ST | CIs Calientes Especializados | 536 |
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