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2N6109G
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2N6109G Especificaciones técnicas
TRANS PNP 50V 7A TO220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 40W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 2.5A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 7A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 3A, 7A |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 10MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N6107 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2988 |
2N6107 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 64431 |
2N6107 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N6107 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistores BJT individuales | |
2N6107G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 22674 |
2N6107G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N6109 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2571 |
2N6109 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2595 |
2N6109 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N6109 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistores BJT individuales |
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