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2N6052 Especificaciones técnicas

TRANS PNP DARL 100V 12A TO3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 150W
Package / Case TO-204AA, TO-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 6A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 120mA, 12A
Supplier Device Package TO-3
Packaging Tray
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N6050 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 24
2N6051 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 573
2N6052 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5231
2N6052 Microsemi Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3168
2N6052 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N6052 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N6052G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 16850
2N6052G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N6055 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2506
2N6055 PBFREE Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales

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