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2N6045G
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2N6045G Especificaciones técnicas
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 75W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 3A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 12mA, 3A |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "2N604" partes
Las siguientes partes incluyen '2N604'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N6040 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2670 |
2N6040 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N6040G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2611 |
2N6040G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N6041 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2504 |
2N6041 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistores BJT individuales | |
2N6042 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2648 |
2N6042 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N6042 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
2N6042G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2089 |
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