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2N6038 Especificaciones técnicas

TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 40W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 2A, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Supplier Device Package TO-225AA
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N6030G AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 20866
2N6031 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 6
2N6034 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 429
2N6034 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N6034. AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 66850
2N6034G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 396850
2N6034G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N6035. AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 66850
2N6035G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1202
2N6035G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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