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2N5886G
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2N5886G Especificaciones técnicas
TRANS NPN 80V 25A TO3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 200W |
Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 10A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 25A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 6.25A, 25A |
Supplier Device Package | TO-3 |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Frequency - Transition | 4MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "2N588" partes
Las siguientes partes incluyen '2N588'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N5880 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 20866 |
2N5880G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 20866 |
2N5881 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 20866 |
2N5881G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 20866 |
2N5882 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 20866 |
2N5882G. | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 20866 |
2N5883 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 20866 |
2N5883G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2685 |
2N5883G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
2N5883G. | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 20866 |
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