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2N5655G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 250V 0.5A TO225AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 250V
Transistor Type NPN
Power - Max 20W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 100mA, 10mV
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 10V @ 100mA, 500mA
Supplier Device Package TO-225AA
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 10MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N5655 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2567
2N5655 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5655 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N5655G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5655G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N5657 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2664
2N5657 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N5657G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2703
2N5657G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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