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2N5551RLRA Especificaciones técnicas

TRANS NPN 160V 0.6A TO92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N5550 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 88610
2N5550 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N5550 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5550BU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2592
2N5550BU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2525
2N5550BU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5550BU Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N5550G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 757
2N5550G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5550G Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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