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2N5191G Especificaciones técnicas

TRANS NPN 60V 4A TO225AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN
Power - Max 40W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 1.5A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.4V @ 1A, 4A
Supplier Device Package TO-225AA
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 2MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N5190 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 446
2N5190 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3012
2N5190 Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales
2N5190 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5190G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2215
2N5190G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
2N5191 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 25998
2N5191 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 25998
2N5191 Central Semiconductor Corp Transistores BJT individuales
2N5191 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales

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