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2N5088TAR Especificaciones técnicas

TRANS NPN 30V 0.1A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 100µA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Box (TB)
Other Names 2N5088TAR-ND 2N5088TARTB
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Base Part Number 2N5088
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
2N508 HGF CIs Calientes Especializados 50000
2N5086 Central Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 18582
2N5086 MOTO CIs Calientes Especializados 18582
2N5086BU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2707
2N5086BU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2684
2N5086BU Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
2N5086TA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2740
2N5086TA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2583
2N5086TAR AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2574
2N5086TAR Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2512

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