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2N4919
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2N4919 Especificaciones técnicas
TRANS PNP 60V 1A TO-225AA
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 30W |
Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 500mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 100mA, 1A |
Supplier Device Package | TO-225AA |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 3MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500µA |
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Otros incluyen "2N491" partes
Las siguientes partes incluyen '2N491'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
2N4910 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2632 |
2N4911 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 0 |
2N4911 | Microsemi Corporation | Transistores BJT individuales | |
2N4913 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 80660 |
2N4913. | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 58660 |
2N4914 | Microsemi | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 81155 |
2N4914 | MOT | CIs Calientes Especializados | 81155 |
2N4914. | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 58660 |
2N4915. | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 58660 |
2N4916 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2664 |
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