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1N5817G
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1N5817G Especificaciones técnicas
DIODE SCHOTTKY 20V 1A AXIAL
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 450mV @ 1A |
Supplier Device Package | Axial |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 125°C |
Diode Type | Schottky |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Package / Case | DO-204AL, DO-41, Axial |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1mA @ 20V |
Capacitance @ Vr, F | - |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "1N581" partes
Las siguientes partes incluyen '1N581'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
1N5811 | Semtech | Diodos - Rectificadores - Individual | 5371 |
1N5811C.TR | Semtech | Diodos - Rectificadores - Individual | 2696 |
1N5811TR | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2735 |
1N5811US | Semtech | Diodos - Rectificadores - Individual | 0 |
1N5811US | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2559 |
1N5811US | Microsemi Corporation | Rectificador de Diodo Monofásico | |
1N5812 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2779 |
1N5812R | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2551 |
1N5813 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2617 |
1N5813R | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 0 |
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