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1N4003GP Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 200V 1A DO41

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A
Supplier Device Package DO-41
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Case DO-204AL, DO-41, Axial
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-41
Current - Average Rectified (Io) 1A
Base Part Number 1N4003
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
1N400-7-M7 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 2533
1N4001 Micro Commercial Components (MCC) Diodos - Rectificadores - Individual 319307
1N4001 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 319322
1N4001 Fairchild/ON Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 5361
1N4001 Micro Commercial Co Rectificador de Diodo Monofásico
1N4001 ON Semiconductor Rectificador de Diodo Monofásico
1N4001 BK Central Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2532
1N4001 M1 TOSHIBA CIs Calientes Especializados 102000
1N4001 M1 SMA IC JDW CIs Calientes Especializados 660
1N4001 TR Central Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2698

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